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现货供应IRF630N IR DIP *原装

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF630N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CHIP/小型片状 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:正负20V(V) 夹断电压:200(V) 低频跨导:4.9(μS) *间电容:486(pF) 漏*电流:9.3A(mA) 耗散功率:82W(mW)

供应IRF640NPBF IR TO-220 原装

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:200(V) 夹断电压:800(V) 低频跨导:10(μS) *间电容:1160(pF) 低频噪声系数:90(dB) 漏*电流:18A(mA) 耗散功率:150W(mW)

供应7N60B FSC TO-220 *原装

品牌/商标:FSC *童 型号/规格:HGTP7N60B3D 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HI-IMP/高输入阻* 封装外形:CHIP/小型片状 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:3.0-6.0(V) 夹断电压:600(V) 低频跨导:2-12(μS) 漏*电流:25度时100微安 150度时3.0毫安(mA) 耗散功率:60W(mW)

供应FQPF4N90C FSC TO-220F原装

品牌/商标:FSC *童半导体 型号/规格:FQPF4N90C 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CHIP/小型片状 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:3.0-5.0(V) 夹断电压:900(V) *间电容:875(pF) 漏*电流:4A(mA) 耗散功率:47W(mW)

供应TIP122 ST TO220 *原装,互补功率达林顿晶体管

是否提供**:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:TIP122 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*允许电流ICM:5A(A) 集电*耗散功率PCM:65(W) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应TIP35C ST DIP *原装,互补功率晶体管

是否提供**:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:TIP35C 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*允许电流ICM:25(A) 集电*耗散功率PCM:125(W) 截止频率fT:3(MHz) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装